參數(shù)資料
型號: HYB18RL25632AC-5
英文描述: ?256M (8Mx32) 200MHz ?
中文描述: ?256M(8Mx32)200MHz的?
文件頁數(shù): 7/36頁
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代理商: HYB18RL25632AC-5
HYB18RL25616/32AC
256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM
Version 1.42
Page 7
Infineon Technologies
This specification is preliminary and subject to change without notice
Figure 2
Ballout of 256 Mbit Reduced Latency DRAM (x32 configuration)
VREF
VEXT
VSS
VSS
VSS
DQ10
DQ9
VSSQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VDDQ
DQS1
DQ11
VSS
VSS
DQ15
VSS
DQS1#
DQ13
DQ12
DQ14
DM0
VDD
VSS
VDD
VSS
VDD
VSSQ
VVDD
A5
A6
A7
A8
A9
VSS
A18
BA2
VDD
AS#
REF#
VDD
VDD
WE#
CS#
VSS
A15
A16
A17
DM1
VSS
VSS
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
VSS
VSS
VREF
VSSQ
VSS
VDDQ
VSSQ
DQ16
VSS
VEXT
DQ17
DQ18
DQ19
DQ24
DQ20
DVLD
DQ22
DQ21
DQ23
VSS
VEXT
VSS
TCK
VSS
DQ1
DQ0
VSSQ
VSS
VDDQ
DQ2
VSSQ
DQ3
DQS0#
DQ8
TMS
DQ5
VDDQ
DQ4
VSSQ
DQ7
DQ6
A0
A1
A2
VDD
VSS
VSS
A4
A3
VDD
VDD
BA0
CK
VDD
VDD
BA1
CK#
VSS
VSS
A14
A13
VDD
A12
A11
A10
VSSQ
DQ29
VDDQ
VSSQ
VSS
VDDQ
VSSQ
VEXT
VSS
TDI
TDO
VSS
VSS
DQ28
DQ30
DQS3
DQ26
DQ25
DQ27
DQ31
DQS3#
VSS
1
2
3
4
9
10
11
12
5
6
7
8
DQS0
DQS2#
DQS2
NC
VSS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D128400AT-7 ?128Mb (32Mx4) DDR266A (2-3-3)?
HYB25R128160C-840 RAMBUS DRAM
HYB25R128160C-845 RAMBUS DRAM
HYB25R144180C-840 RAMBUS DRAM
HYB25R288180C-653 DRAM|RAMBUS|16MX18|CMOS|BGA|66PIN|PLASTIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T1G400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 256M x 4, 68 Pin, Plastic, BGA
HYB18T1G400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA68
HYB18T1G800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 68TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T256400AF-3.7 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
HYB18T256400AF-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA