參數(shù)資料
型號： HUFA76404DK8T
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Dual MOSFET
中文描述： 3.6 A, 62 V, 0.11 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 652K
代理商： HUFA76404DK8T
HUFA76404DK8T Rev. B
www.fairchildsemi.com
6
H
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
-80
-40
0
40
80
120
160
1.2
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
60
4
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
D
= 3.6A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESI
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