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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5113805FTD-6 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存江戶（16 Mword × 8位）8K的refresh/4k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 6/34頁 |
| 文件大小： | 480K |
| 代理商： | HM5113805FTD-6 |
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HM5112805F-6, HM5113805F-6
6
Block Diagram
(HM5113805F)
Timing and control
Timing and control
Column
address
buffers
Row
address
buffers
I/O buffers
A0
A1
to
A10
A11
I/O1
I/O3
I/O4
I/O6
RAS
CAS
WE
OE
Column decoder
R
16M array
16M array
16M array
16M array
Column
address
buffers
Row
address
buffers
I/O buffers
I/O0
I/O2
I/O5
I/O7
Column decoder
R
16M array
16M array
16M array
16M array
Upper pellet
Lower pellet
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5112805F | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5113805F | 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5113165F | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113805LTD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM5113805TD-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM5113805TD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM51-150JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51150K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 15uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
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