參數資料
型號： HM5113805FTD-6
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
中文描述： 128M的內存江戶（16 Mword × 8位）8K的refresh/4k刷新
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代理商： HM5113805FTD-6
HM5112805F-6, HM5113805F-6
128M EDO DRAM (16-Mword
×
8-bit)
8k refresh/4k refresh
ADE-203-1050C (Z)
Rev. 3.0
Feb. 2, 2000
Description
The Hitachi HM5112805F, HM5113805F are 128M-bit dynamic RAMs organized as 16,777,216-word
×
8-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.
HM5112805F, HM5113805F offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode.
They are packaged in 32-pin plastic TSOPII.
Features
Single 3.3 V supply: 3.3 V
±
0.3 V
Access time: 60 ns (max)
Power dissipation
Active:
720 mW (max) (HM5112805F)
792 mW (max) (HM5113805F)
Standby : 3.6 mW (max) (CMOS interface)
: 1.8 mW (max) (CMOS interface) (L-version)
EDO page mode capability
Refresh cycles
RAS
-only refresh
8192 cycles/64 ms (HM5112805F)
4096 cycles/64 ms (HM5113805F)
CBR/Hidden refresh
4096 cycles/64 ms (HM5112805F, HM5113805F)
相關PDF資料
PDF描述
HM5112805F 128M EDO DRAM(128M 擴展數據輸出模式動態(tài)RAM)
HM5113805F 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴展數據輸出模式動態(tài)RAM)
HM5113165F 128M EDO DRAM(128M 擴展數據輸出模式動態(tài)RAM)
HM5116100 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
HM5116100S 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
相關代理商/技術參數
參數描述
HM5113805LTD-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM
HM5113805TD-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM
HM5113805TD-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM
HM51-150JLF 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors
HM51150K 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 15uH 10% 1KHz 4.7A AXL
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