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參數(shù)資料
| 型號： | HM5113165F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存江戶（128M的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 1/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | HM5113165F |
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HM5113165F Series
128M EDO DRAM (8-Mword
×
16-bit)
4k refresh
ADE-203-1051B(Z)
Rev. 2.0
Dec. 6, 1999
Description
The Hitachi HM5113165F Series is 128M-bit dynamic RAM organized as 8,388,608-word
×
16-bit. It has
realized high performance and low power by employing CMOS process technology. HM5113165F Series
offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode.
It is packaged in 50-pin plastic
TSOPII.
Features
Single 3.3 V supply: 3.3 V
±
0.3 V
Access time: 60 ns (max)
Power dissipation
Active: 828 mW (max)
Standby : 3.6 mW (max) (CMOS interface)
: 1.8 mW (max) (CMOS interface) (L-version)
EDO page mode capability
Refresh cycles
RAS
-only refresh
4096 cycles/64 ms
CBR/Hidden refresh
4096 cycles/64 ms
4 variations of refresh
RAS
-only refresh
CAS
-before-
RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5117805J-5 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113165FLTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165FTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165LTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113805F-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FLTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
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