- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370615 > HM5113805FTD-6 (Hitachi,Ltd.) 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5113805FTD-6 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| 中文描述： | 128M的內(nèi)存江戶（16 Mword × 8位）8K的refresh/4k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 19/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 480K |
| 代理商： | HM5113805FTD-6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁
HM5112805F-6, HM5113805F-6
19
Delayed Write Cycle
*
18
Address
CAS
RAS
WE
Din
OE
Dout
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
RSH
t
CAS
t
CRP
t
T
Column
Row
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCS
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DZC
t
DS
t
DH
t
DZO
t
OED
t
OEH
t
OEP
t
CLZ
t
OEZ
High-Z
Invalid Dout
Din
High-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5112805F | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5113805F | 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5113165F | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113805LTD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM5113805TD-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM5113805TD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HM51-150JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51150K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 15uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。