- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370431 > HB56UW3272ETK (Hitachi,Ltd.) 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB56UW3272ETK |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM 256MB的內(nèi)存緩沖（256MB的緩沖EDO公司的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 8/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | HB56UW3272ETK |
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HB56UW3272ETK-F
8
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V) *
1
, *
2
, *
19
Test Conditions
Input rise and fall time: 2 ns
Input levels: V
IL
= 0 V, V
IH
= 3 V
Input timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output timing reference levels: 0.8 V, 2.0 V
Output load: 1 TTL gate + C
L
(100 pF) (Including scope and jig)
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common parameters)
50 ns
60 ns
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or write cycle time
RAS
precharge time
CAS
precharge time
RAS
pulse width
CAS
pulse width
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
RAD
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
84
—
104
—
ns
30
—
40
—
ns
8
—
10
—
ns
50
10000
60
10000
ns
8
10000
10
10000
ns
Row address setup time
5
—
5
—
ns
Row address hold time
8
—
10
—
ns
Column address setup time
0
—
0
—
ns
Column address hold time
RAS
to
CAS
delay time
RAS
to column address delay time
RAS
hold time
CAS
hold time
CAS
to
RAS
precharge time
OE
to Din delay time
OE
delay time from Din
CAS
delay time from Din
8
—
10
—
ns
12
32
14
40
ns
3
10
20
12
25
ns
4
18
—
20
—
ns
35
—
40
—
ns
10
—
10
—
ns
18
—
20
—
ns
5
0
—
0
—
ns
6
0
—
0
—
ns
6
Transition time (rise and fall)
2
50
2
50
ns
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540C | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBFP-0405-BLK | High Performance Isolated Collector Silicon Bipolar Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56UW3272ETK-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-5F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module (36 pcs of 16M × 4 components) |
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