- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370431 > HB56UW3272ETK (Hitachi,Ltd.) 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB56UW3272ETK |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM 256MB的內(nèi)存緩沖（256MB的緩沖EDO公司的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 13/28頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | HB56UW3272ETK |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當(dāng)前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
HB56UW3272ETK-F
13
Timing Waveforms
*
23
Read Cycle
RAS
Address
WE
Dout
OE
Din
t
RC
t
RAS
Row
Column
t
RCS
t
RCH
t
CDD
t
DZC
High-Z
Dout
t
DZO
t
OED
t
RAC
t
OEA
t
AA
t
CAC
t
CLZ
OH
t
OFR
t
OHR
t
WEZ
OFF
t
OHO
t
OEZ
CAS
t
RDD
t
WED
t
CAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
RSH
t
CRP
t
T
t
RAD
t
RAL
t
CAL
t
ASR
t
ASC
t
CAH
t
RCHR
t
RRH
t
RAH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-5402 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540C | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBFP-0405-BLK | High Performance Isolated Collector Silicon Bipolar Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56UW3272ETK-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-5F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module (36 pcs of 16M × 4 components) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。