- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370431 > HB56UW3272ETK (Hitachi,Ltd.) 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB56UW3272ETK |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM) |
| 中文描述： | EDO公司的DRAM 256MB的內(nèi)存緩沖（256MB的緩沖EDO公司的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 26/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | HB56UW3272ETK |
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HB56UW3272ETK-F
26
Physical Outline
HB56UW3272ETK Series
3.00
0.118
133.35
5.250
127.35
5.014
3
0
8.89
0.350
2 – R FULL
11.43
0.450
36.83
1.450
54.61
2.150
A
B
C
1
84
Front side
Back side
1.27
±
0.10
0.050
±
0.004
4
0
4.00 max
0.157 max
8
4
0
1
0
5
2
1
2 –
φ
3.00
2 –
φ
0.118
Component area
(Front)
Component area
(Back)
6.35
0.250
2.00
±
0.10
0.079
±
0.004
3.175
0.125
Detail B and C
Detail A
0
2
0
0
3
±
0
±
1.27
0.050
1.00
±
0.05
0.039
±
0.002
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBAT-5400 | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
| HBAT-540B | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
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| HBAT-540C | High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HB56UW3272ETK-5F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56UW3272ETK-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword × 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module (36 pcs of 16M × 4 components) |
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