參數(shù)資料
型號(hào): HB56UW3272ETK
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
中文描述: EDO公司的DRAM 256MB的內(nèi)存緩沖(256MB的緩沖EDO公司的DRAM內(nèi)存)
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代理商: HB56UW3272ETK
HB56UW3272ETK-F
6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Terminal voltageon any pin relative to V
SS
Power supplyvoltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–0.5 to +4.6
V
–0.5 to +4.6
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Tstg
19
W
Storage temperature
–55 to +125
°
C
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Ta
3.0
3.3
3.6
V
1, 2
0
0
0
V
2
Input high voltage
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1
Input low voltage
–0.3
V
1
Ambient temperature range
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
pins must be on the same level. The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
0
70
°
C
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PDF描述
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