參數(shù)資料
型號(hào)： HB52RD648DC-B
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
中文描述： 512 MB的無(wú)緩沖內(nèi)存的SODIMM 64 Mword】64位，133/100 MHz內(nèi)存總線，2銀模塊（16個(gè)32米】8部分）PC133/100 SDRAM內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 14/20頁(yè)
文件大小： 160K
代理商： HB52RD648DC-B
HB52RF648DC-B, HB52RD648DC-B
Data Sheet E0083H40
14
AC Characteristics
(Ta = 0 to +65
°
C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
HB52RF648DC/HB52RD648DC
-75
-A6
-B6
Parameter
Symbol
PC100
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit Notes
System clock cycle time
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
Tclk
10
—
10
—
15
—
ns
1
Tclk
7.5
—
10
—
10
—
ns
CK high pulse width
Tch
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
CK low pulse width
Tcl
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
Access time from CK
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
t
AC
t
AC
t
OH
t
LZ
Tac
—
6
—
6
—
8
ns
1, 2
Tac
—
5.4
—
6
—
6
ns
Data-out hold time
Toh
2.7
—
3
—
3
—
ns
1, 2
CK to Data-out low
impedance
2
—
2
—
2
—
ns
1, 2, 3
CK to Data-out high
impedance
t
HZ
—
5.4
—
6
—
6
ns
1, 4
Input setup time
t
AS
, t
CS
,
t
DS
, t
CES
t
CESP
Tsi
1.5
—
2
—
2
—
ns
1, 5, 6
CKE setup time for power
down exit
Tpde
1.5
—
2
—
2
—
ns
1
Input hold time
t
AH
, t
CH
,
t
DH
, t
CEH
t
RC
Thi
0.8
—
1
—
1
—
ns
1, 6
Ref/Active to Ref/Active
command period
Trc
67.5
—
70
—
70
—
ns
1
Active to Precharge
command period
t
RAS
Tras
45
120000
50
120000 50
120000 ns
1
Active command to column
command (same bank)
t
RCD
Trcd
20
—
20
—
20
—
ns
1
Precharge to active
command period
t
RP
Trp
20
—
20
—
20
—
ns
1
Write recovery or data-in to
precharge lead time
t
DPL
Tdpl
15
—
20
—
20
—
ns
1
Active (a) to Active (b)
command period
t
RRD
Trrd
15
—
20
—
20
—
ns
1
Transition time (rise and fall) t
T
Refresh period
1
5
1
5
1
5
ns
t
REF
—
64
—
64
—
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RF649DC 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-A6B 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-A6BL 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-B 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RF649DC-75B 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52RD648DC-B6B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD648DC-B6BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD649DC-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-A6BL 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
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