參數(shù)資料
型號： HB52E649E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊使用512 MB SDRAM的內(nèi)存（512 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 8/18頁
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代理商： HB52E649E12
HB52E649E12-A6B/B6B
8
Absolute Maximum Ratings
Note: 1. Respect to V
SS
DC Operating Conditions (Ta = 0 to +55
°
C)
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all VCC pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all VSS pins must be on the same level.
4. V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5. V
IL
(min) = V
SS
–– 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
V
IL
/V
IH
Clamp (Component characteristics)
This SDRAM component has V
IL
and V
IH
clamp for CK, CKE, S, DQMB and DQ pins.
Minimum V
IL
Clamp Current
Parameter
Voltage on any pin relative to V
SS
Symbol
V
T
Value
––0.5 to V
CC
+ 0.5
(
≤
= 4.6 (max))
––0.5 to +4.6
50
18.0
0 to +55
––50 to +100
Unit
V
Note
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
Power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
V
CC
Iout
P
T
Topr
Tstg
V
mA
W
°
C
°
C
1
Parameter
Supply voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min
3.0
0
2.0
0
Max
3.6
0
V
CC
0.8
Unit
V
V
V
V
Notes
1, 2
3
1, 4
1, 5
Input high voltage
Input low voltage
V
IL
(V)
––2
––1.8
––1.6
––1.4
––1.2
––1
––0.9
––0.8
––0.6
––0.4
––0.2
0
I (mA)
––32
––25
––19
––13
––8
––4
––2
––0.6
0
0
0
0
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