參數(shù)資料
型號(hào)： HB52E649E12
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊(cè)使用512 MB SDRAM的內(nèi)存（512 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 11/18頁(yè)
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代理商： HB52E649E12
HB52E649E12-A6B/B6B
11
DC Characteristics (Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
2.4
2
1.8
1.65
1.5
1.4
1
0
––34
––59
––67
––73
––78
––81
––89
––93
––154
––197
––227
––248
––270
––285
––345
––503
Parameter
Operating current
(CE latency = 3)
(CE latency = 4)
Standby current in power
down
Standby current in power
down (input signal stable)
Standby current in non
power down
Active standby current in
power down
Symbol
HB52E649E12
-A6B
Min
Unit
Test conditions
Burst length = 1
t
RC
= min
Notes
1, 2, 3
-B6B
Min
Max
Max
I
CC1
I
CC1
I
CC2P
——
——
——
2220
2220
564
——
——
——
——
2220
564
mA
mA
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
8 7
6
I
CC2PS
——
546
——
546
mA
I
CC2N
——
870
——
870
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
4
I
CC3P
——
582
——
582
mA
1, 2, 6
Vout (V)
I
OH
Min (mA)
I
OH
Max (mA)
I
O
Vout (V)
0
–100
–200
–300
–500
–600
–400
0.5
1
1.5
2
2.5
3
min
max
3.5
0
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PDF描述
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