參數(shù)資料
型號(hào)： GS815218
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
中文描述： 16Mb的（100萬x 18位）的S /雙氰胺突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（100萬× 18位），可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器））
文件頁數(shù)： 4/38頁
文件大?。?/td> 824K
代理商： GS815218
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
K9
DP
I
Data Parity Mode Input; 1 = Even, 0 = Odd
K11
QE
O
Parity Error Out; Open Drain Output
F6
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control
(Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
W2
TMS
I
Scan Test Mode Select
W4
TDI
I
Scan Test Data In
W8
TDO
O
Scan Test Data Out
W9
TCK
I
Scan Test Clock
E5, E6, E7, G5, G7, J5, J7, L5, L7, N5, N7, R5,
R6, R7
C3, C9, F3, F4, F5, F7, F8, F9, H3, H4, H5, H7,
H8, H9, K5, K7, M3, M4, M5, M7, M8, M9, P3,
P4, P5, P7, P8, P9, T3, T9
E3, E4, E8, E0, G3, G4, G8, G9, J3, J4, J8, J9,
L3, L4, L8, L9, N3, N4, N8, N9, R3, R4, R8, R9
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS815272 BGA Pin Description
Pin Location
Symbol
Type
Description
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS815236 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
GS815272 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
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GS8152Z36 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS8152Z72 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
GS815V018AB-250 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-250 - Trays
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GS815V018AB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300 - Trays
GS815V018AB-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-300I - Trays
GS815V018AB-333 制造商:GSI Technology 功能描述:GS815V018AB-333 - Trays
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