參數(shù)資料
型號(hào)： GS815218
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 16Mb（1M x 18Bit）S/DCD Burst SRAM(16M位（1M x 18位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
中文描述： 16Mb的（100萬(wàn)x 18位）的S /雙氰胺突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（100萬(wàn)× 18位），可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器））
文件頁(yè)數(shù)： 24/38頁(yè)
文件大小： 824K
代理商： GS815218
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
24/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
BW
G
GW
ADV
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
Suspend Burst
E
1
masks ADSP
Single Read
ADSP is blocked by E1 inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
E
1
tKH
tKC
tS
tS
tH
DQ
A
–DQ
D
tS
RD1
Hi-Z
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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