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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ET |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個銀行同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 54/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET |
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LG Semicon
Clock Suspend (Active Power Down) Mode
GM72V66841CT/CLT
53
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13(BS)
Address
DQ(output)
b
b+3
b+1 b+2
a+2
a+3
a
a+1
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13(BS)
Address
DQ(input)
Bank3
Active
Bank0
Read
Bank0
Active
Active Clock
Suspend Start
Read Suspend
Start
Bank3
Read
Earliest Bank3
Precharge
R:b
C:b
C:a
R:a
Bank0
Precharge
b
b+3
b+1 b+2
a+3
a
a+1
R:b
C:b
C:a
R:a
a+2
Active Clock Suspend End
CLK
Bank3
Active
Bank0
Write
Active Clock
Suspend Start
Write Suspend
Start
Bank3
Write
Earliest Bank3
Precharge
Bank0
Precharge
Write Suspend End
Bank0
Active
Active Clock Suspend End
Read Suspend End
DQM ,
DQMU/DQML
DQM ,
DQMU/DQML
DQ(input)
High-Z
DQ(output)
High-Z
Write Cycle , RAS-CAS Delay=2
CAS Latency=2 ,
Burst Length=4
= VIH or VIL
Read Cycle , RAS-CAS Delay=2
CAS Latency=2
,
Burst Length=4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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