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參數資料
| 型號： | GM72V66841ET |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個銀行同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數： | 50/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET |
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LG Semicon
Read / Burst Write Cycle
GM72V66841CT/CLT
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(input)
a+2
a
a+1
Bank0
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank3
Active
Clock
Suspend
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank0
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Precharge
R:b
C:a
R:a
C:a
..
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DQ(output)
a+2
a
a+1
a+3
a+2 a+3
a
a+1
R:b
C:a
R:a
C:a
..
a+3
a
a+1
CKE
CS
RAS
CAS
WE
Address
DQ(input)
DQ(output)
A12/A13
Read/Burst Write
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
49
a+3
V
IH
DQM ,
DQMU/DQML
DQM ,
DQMU/DQML
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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