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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ET |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個銀行同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 15/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
64M SDRAM Function State Diagram
Automatic Transition after completion of command.
Transition resulting from command input.
Power
ON
PRE-
CHARGE
Precharge
IDLE
SR ENTRY
SR EXIT
SELF-
REFRESH
MODE
REGISTER
SET
MRS
REFRESH
AUTO-
REFRESH
IDLE
Power
DOWN
ROW
ACTIVE
A
CKE=L
CKE=H
CKE=H
CKE=L
READ
READ
SUSPEND
WRITE
SUSPEND
READA
WRITEA
READA
SUSPEND
WRITEA
SUSPEND
CKE=L
CKE=H
CKE=L
CKE=H
WRTE
READ
WIEWT P
P
RA WT P
WRITE
PEHRE
PEHRE
Read
Write
CKE=L
CKE=H
CKE=L
CKE=H
WRITE
READ
WITH AP
READ
WITH AP
WRITE
WITH AP
WITH AP
ACTIVE
Clock
SUSPEND
Power
APPLIED
BST
(on full page)
BST
(on full page)
14
Note: 1. After the auto-refresh operation, Precharge is performed automatically and enter the IDLE state.
*1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841Exx | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
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