參數(shù)資料
型號： GB100DA60UP
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR 125 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, Insulated Gate BIP Transistor
中文描述： IGBT Transistors 600 Volt 100 Amp Warp 2 Speed
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： GB100DA60UP
GB100DA60UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor
(Warp 2 Speed IGBT), 100 A
www.vishay.com
6
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Document Number: 93001
Revision: 22-Jul-10
Fig. 16 - Maximum Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics (diode)
Fig. 17a - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 17b - Pulsed Collector Current Test Circuit
Fig. 18a - Switching Loss Test Circuit
Rectangular pulse duration (t1)
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.01
0.02
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Z
t
* Driver same type as D.U.T.; V
C
= 80 % of V
* Note: D
u
e to the 50 V power s
u
pply, p
u
lse width and ind
u
ctor
will increase to obtain Id
50 V
1000 V
D.U.T.
L
V
C
*
2
1
R
g
V
CC
D.U.T.
R =
V
CC
I
CM
+
-
L
Diode clamp/
D.U.T.
D.U.T./
driver
- 5 V
+
-
R
g
V
CC
+
-
相關PDF資料
PDF描述
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GB10XF120K TRANSISTOR 20 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
GB15RF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO2PIM-24, Insulated Gate BIP Transistor
GB15XF120K TRANSISTOR 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, ECONO26PACK-17, Insulated Gate BIP Transistor
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參數(shù)描述
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