參數(shù)資料
型號： FDZ209N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
中文描述： 4 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-12
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： FDZ209N
FDZ209N Rev B2 (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 4A
V
DS
= 20V
40V
30V
0
200
400
600
800
1000
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
= 5.0V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 128
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 128°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 128 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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FDZ2552P 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET Common Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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