參數(shù)資料
型號： FDZ209N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
中文描述： 4 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-12
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： FDZ209N
FDZ209N Rev B2 (W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
4.3V
4.8V
4.5V
4.0V
V
GS
= 5.0V
3.8V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
5
10
15
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
4.8V
5.0V
4.5V
4.3V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 4A
V
GS
= 5.0V
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
3
3.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
5
R
D
,
I
D
=2A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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