參數(shù)資料
型號： FDZ201N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： CAP CER 4.7UF 16V 10% X5R 1210
中文描述： 9 A, 20 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ULTRA THIN, BGA-12
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： FDZ201N
FDZ201N Rev A (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
B) NO JEDEC REGISTRATION REFERENCE AS
OF JULY 1999.
D
C
B
A
3
1
2
3
B
A
1
D
C
2
0.51
SEATING PLANE
0.40
0.65
1.30
C
SYMM
SYMMC
0.65
1.30
1.95
0.65
TOP VIEW
SIDE VIEW
FRONT VIEW
BOTTOM VIEW
RECOMMENDED LAND
PATTERN
INDEX SLOT
(HIDDEN)
INDEX
SLOT
SOLDER BALL
0.30
GATE
L
L
C
SOLDER BALL,
0.30
C
D
F
0.76
0.25
2.70
2.30
2.15
1.85
0.65
1.95
D
D
D
D
D
D
G
S
S
S
S
S
D = Drain
S = Source
G = Gate
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDZ202P P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
FDZ203N N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ204P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ206P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ208P P-Channel 30 Volt PowerTrench
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDZ201N_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ201N_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V NChannel BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ202P 功能描述:MOSFET 20V/12V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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