參數(shù)資料
型號： FDS9934C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors
中文描述： 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 158K
代理商： FDS9934C
FDS9934C Rev C(W)
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -5A
V
DS
= -4V
-8V
-6V
0
400
800
1200
1600
0
4
12
16
20
-V
DS
, DRAIN 8
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
-V
DS
, 1
-
D
,
DC
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
10s
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
J
- T
A
= t
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
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