參數(shù)資料
型號： FDS9934C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors
中文描述： 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： FDS9934C
FDS9934C Rev C(W)
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 5V
10V
15V
0
200
400
600
800
1000
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
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