參數(shù)資料
型號： FDS3682
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mз
中文描述： 6 A, 100 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 277K
代理商： FDS3682
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3682 Rev. B
F
Typical Characteristics
T
A
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
R
θ
JA
=50
o
C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
R
θ
JA
=50
o
C/W AT 10 SECONDS
1
10
100
10
-5
300
10
-4
10
-3
10
-2
t, PULSE WIDT10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
,
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
C
125
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FDS3692 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8
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