參數(shù)資料
型號(hào)： FDP3632
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
中文描述： 12 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： FDP3632
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 Rev. B1
F
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
25
50
75
100
125
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
SINGLE PULSE
100
1000
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
50
2000
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB3672 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB44N25 250V N-Channel MOSFET
FDB44N25TM 250V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDP3632_G 制造商:Fairchild 功能描述:TO-220,SINGLE,NCH,100V,99M OHM
FDP3632_NL 制造商:Fairchild 功能描述:100V/80A N-CH MOSFET
FDP3632_Q 功能描述:MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP3651U 功能描述:MOSFET 100V 80A 15 OHM NCH POWER TREN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP3652 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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