參數(shù)資料
型號： FDP3632
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
中文描述： 12 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： FDP3632
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 Rev. B1
F
SPICE Thermal Model
REV May 2002
FDB3632
CTHERM1 TH 6 7.5e-3
CTHERM2 6 5 8.0e-3
CTHERM3 5 4 9.0e-3
CTHERM4 4 3 2.4e-2
CTHERM5 3 2 3.4e-2
CTHERM6 2 TL 6.5e-2
RTHERM1 TH 6 3.1e-4
RTHERM2 6 5 2.5e-3
RTHERM3 5 4 2.2e-2
RTHERM4 4 3 8.1e-2
RTHERM5 3 2 1.35e-1
RTHERM6 2 TL 1.5e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB3632
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =7.5e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =8.0e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =9.0e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =2.4e-2
ctherm.ctherm5 3 2 =3.4e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =6.5e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =3.1e-4
rtherm.rtherm2 6 5 =2.5e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =2.2e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =8.1e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =1.35e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =1.5e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關PDF資料
PDF描述
FDB3672 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDP4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB44N25 250V N-Channel MOSFET
FDB44N25TM 250V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDP3632_G 制造商:Fairchild 功能描述:TO-220,SINGLE,NCH,100V,99M OHM
FDP3632_NL 制造商:Fairchild 功能描述:100V/80A N-CH MOSFET
FDP3632_Q 功能描述:MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP3651U 功能描述:MOSFET 100V 80A 15 OHM NCH POWER TREN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP3652 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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