參數(shù)資料
型號(hào)： FDMS9600S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
中文描述： 16 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 336K
代理商： FDMS9600S
F
M
FDMS9600S Rev.D
www.fairchildsemi.com
3
Electrical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
Drain-Source Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
2.1
3.5
1.2
1.0
A
V
SD
Source to Drain Diode Forward VoltageV
GS
= 0V, I
S
= 2.1A (Note 2)
V
GS
= 0V, I
S
= 3.5A (Note 2)
Q1
I
F
= 12A, di/dt = 100A/
μ
s
Q2
I
F
= 16A, di/dt = 300A/
μ
s
0.7
0.4
33
27
20
33
V
t
rr
Reverse Recovery Time
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
nC
Notes:
1:
R
is determined with the device mounted on a 1in
2
pad 2 oz copper pad on a 1.5
x 1.5 in. board of FR-4 material. R
θ
JC
is guaranteed by design while
R
θ
CA
is determined by
the user's board design.
2:
Pulse Test: Pulse Width < 30
0
μ
s, Duty cycle < 2.0%.
a.50°C/W when mounted on
a 1 in
pad of 2 oz copper
b. 120°C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMS9620S Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET Q1: 30V, 16A, 21.5mヘ Q2: 30V, 18A, 13mヘ
FDMW2512NZ Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDN302 P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDN302P CAP CER 2.2UF 16V 10% X5R 1206
FDN304PZ P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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