參數(shù)資料
型號(hào)： FDMS8680
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 35A, 7.0mヘ
中文描述： 14 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, MO-240AA, POWER 56, 8 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 217K
代理商： FDMS8680
F
www.fairchildsemi.com
4
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS8680 Rev.C
Figure 7.
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
I
D
= 14A
V
DD
= 15V
V
DD
= 10V
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= 20V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
1000
30
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
50
2000
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0.01
0.1
t
AV
, TIME IN AVALANCHE(ms)
1
10
100
1
10
300
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
A
,
20
Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10.
Current vs Case Temperature
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
R
θ
JC
= 2.5
o
C/W
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
,
D
T
C
,
CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Limited by Package
Maximum Continuous Drain
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
200
100us
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
D
,
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
THIS AREA IS
LIMITED BY r
DS(on)
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 12.
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
1000
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0.5
V
GS
= 10V
P
(
P
)
,
P
t, PULSE WIDTH (s)
2000
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMS8690_07 N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 30V, 27A, 9.0mз
FDMS8690 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMS8692 N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDMS9600S Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDMS9620S Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET Q1: 30V, 16A, 21.5mヘ Q2: 30V, 18A, 13mヘ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDMS8690 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FDMS8692 功能描述:MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMS8820 功能描述:MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMS8848NZ 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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