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參數(shù)資料
| 型號： | FDMS3572_07 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз |
| 中文描述： | N溝道UltraFET海溝㈢MOSFET的80V的，22A條，16.5mз |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 525K |
| 代理商： | FDMS3572_07 |
F
M
FDMS3572 Rev.C1
www.fairchildsemi.com
6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS3572 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 80V, 22A, 16.5mOHM |
| FDMS3672 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm |
| FDMS5672 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 60V, 22A, 11.5mohm |
| FDMS8660AS | N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 49A, 2.1mヘ |
| FDMS8660S | N-Channel PowerTrench SyncFET (30V, 40A, 2.4mOHM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDMS3600S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMS3602S | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMS3604AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMS3606AS | 功能描述:MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMS36101L_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 38A, 26m |
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