參數(shù)資料
型號： FDMS2734
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel UltraFET Trench MOSFET 250V, 14A, 122mohm
中文描述： 2.8 A, 250 V, 0.122 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, MO-229, POWER 56, 8 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 512K
代理商： FDMS2734
F
M
FDMS2734 Rev.C
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
8
16
24
32
0
2
4
6
8
10
V
DD
= 125V
V
DD
=75V
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
Gate Charge Characteristics
V
DD
= 175V
Figure 8.
0.1
1
10
100
10
100
1000
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
3000
Figure 9.
0.01
0.1
1
2
3
4
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
t
AV
, TIME IN AVALANCHE(ms)
Unclamped Inductive
Switching Capability
I
A
,
0.5
Figure 10.
Current vs Case Temperature
25
50
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Maximum Continuous Drain
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
R
θ
JC
= 1.6
o
C/W
I
D
,
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
100
1000
1E-3
0.01
0.1
1
10
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100us
SINGLE PULSE
T
J
=
MAX RATED
T
A
=
25
o
C
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(on)
I
D
,
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 12.
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.1
1
10
100
1000
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
P
(
P
)
,
t, PULSE WIDTH (s)
3000
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
----------------------
T
A
–
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMS3572_07 N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 80V, 22A, 16.5mз
FDMS3572 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 80V, 22A, 16.5mOHM
FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 22A, 23mohm
FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 60V, 22A, 11.5mohm
FDMS8660AS N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 49A, 2.1mヘ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDMS3006SDC 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMS3008SDC 功能描述:MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMS3016DC 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMS3500 功能描述:MOSFET 75V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMS3572 功能描述:MOSFET 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*