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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDMF8705 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Driver plus FET Multi-chip Module |
| 中文描述： | HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, QCC56 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, MO-220WLLD-5, SMD-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 742K |
| 代理商： | FDMF8705 |
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www.fairchildsemi.com
FDMF8705 Rev. C
F
Dimensional Outline and Pad layout
Bayan Lepas FIZ
11900, Penang, Malaysia
(DATUM A)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMJ1023PZ | Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMS2380 | 740; 38000/740 Series; Microcontroller; Bit Size: 8-bit; ROM: 2K; RAM: 192; ROM Type: QzROM; CPU: 740 core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 250 (@8MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 1.8 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -20 to 85; Package Code: PLSP0020JB-A (20P2F-A) |
| FDMS2572_07 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 150V, 27A, 47mз |
| FDMS2572 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET |
| FDMS2672 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 20A, 77mohm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDMH000C11L-YW | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HAZ3FLD,1000W,M.H.,5 TAP BALST |
| FDMHP17C070-YWE | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:HZ FDMHP17C070YWE HAZ3,FLD,175W,M.H |
| FDMJ1023PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMJ1027P | 功能描述:MOSFET -20V -2.4A PCH 1.8V SPECIF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMJ1028N | 功能描述:MOSFET MLP 20V 3.2A 2.5 VGS NCH S RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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