型號(hào): | FDMC8554 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm |
中文描述: | 16.5 A, 20 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | ROHS COMPLIANT, POWER 33, MICROFET-8 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 198K |
代理商: | FDMC8554 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDMC8854 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 15A, 5.7mohm |
FDMC8878 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 16.5A, 14mohm |
FDMF6700 | Driver plus FET Multi-chip Module |
FDMF8700 | Driver plus FET Multi-chip Module |
FDMF8704 | High Current / High Frequency FET plus Driver Multi-chip Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDMC8588 | 功能描述:MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDMC8588DC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDMC86012 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDMC86102 | 功能描述:MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDMC86102_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m?? |