參數(shù)資料
型號(hào)： FDMC6890NZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 4 A, 20 V, 0.15 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, MLP3X3, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 464K
代理商： FDMC6890NZ
F
M
FDMC6890NZ Rev.C
www.fairchildsemi.com
2
Electrical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV
DSS
Drain to Source Breakdown Voltage
I
D
= 250
μ
A, V
GS
= 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
20
20
V
BV
DSS
T
J
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I
D
= 250
μ
A, referenced to 25°C
13
12
mV/°
C
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
1
1
μ
A
I
GSS
Gate to Source Leakage Current
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
±10
±100
μ
A
nA
On Characteristics
V
GS(th)
Gate to Source Threshold Voltage
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
Q1
Q2
Q1
Q2
0.6
0.6
0.9
1.0
-3
-3
58
77
67
102
10
7
2
2
V
V
GS(th)
T
J
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I
D
= 250
μ
A, referenced to 25°C
mV/°C
r
DS(on)
Drain to Source On Resistance
V
GS
= 4.5V, I
D
= 4A
V
GS
= 2.5V, I
D
= 3A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 4A
V
GS
= 2.5V, I
D
= 2A
Q1
68
100
100
150
m
Q2
g
FS
Forward Transconductance
V
DS
= V, I
D
=4A
Q1
Q2
S
Dynamic Characteristics
C
iss
Input Capacitance
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V, f= 1MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
205
190
60
60
40
35
3.3
2.8
270
250
80
80
60
55
pF
C
oss
Output Capacitance
pF
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
pF
R
g
Gate Resistance
f = 1MHz
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
V
DD
= 10V, I
D
= 4A, R
GEN
= 6
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
4
4
10
10
22
21
19
14
12
12
3.4
2.6
1.9
0.8
ns
t
r
Rise Time
13
12
10
7
6
6
2.4
1.8
1.4
0.6
0.4
0.5
0.9
0.8
ns
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
ns
t
f
Fall Time
ns
Q
g(TOT)
Total Gate Charge at 4.5V
V
GS
= 0V to 4.5V
V
DD
= 10 V
I
D
= 4A
nC
Q
g(2)
Total Gate Charge at 2V
nC
Q
gs
Gate to Source Gate Charge
nC
Q
gd
Gate to Drain “Miller” Charge
nC
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