參數(shù)資料
型號： FDMA520PZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Single P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -7.3A, 30mohm
中文描述： 7.3 A, 20 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 209K
代理商： FDMA520PZ
F
M
FDMA520PZ Rev.B
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
7
14
21
28
35
0
2
4
6
8
10
I
D
= -7.3A
V
DD
= -15V
V
DD
= -5V
-
G
,
-
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= -10V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
1000
30
20
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
3000
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0
3
6
9
12
15
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 0V
-
g
,
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
60
60
100us
10s
DC
r
DS(on)
LIMIT
1ms
10ms
100ms
1s
D
,
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
=4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=
145
T
A
=
25
o
C
o
C/W
Figure 11.
10
-4
10
-3
10
t, PULSE WIDTH (s)
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0
30
60
90
120
150
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 145
T
A
=25
o
C/W
o
C
P
(
P
)
,
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
10
-4
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.01
0.1
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
N
I
θ
J
SINGLE PULSE
2
0.005
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMA530PZ Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -6.8A, 35mohm
FDMB3800N_0610 Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз
FDMB3800N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET
FDMB668P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm
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