參數(shù)資料
型號： FDMA430NZ_0609
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 5.0A, 40mз
中文描述： 單個N -溝道2.5V的指定的PowerTrench MOSFET的30V的㈢，5.0a中，40mз
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 556K
代理商： FDMA430NZ_0609
tm
September 2006
F
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA430NZ Rev B1
www.fairchildsemi.com
1
FDMA430NZ
Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench
MOSFET
30V, 5.0A, 40m
General Description
This Single N-Channel MOSFET has been designed using
Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process
to optimize the R
DS
(on) @V
GS
=2.5V on special MicroFET
leadframe.
Applications
Li-lon Battery Pack
Features
R
DS(on)
= 40m
@ V
GS
= 4.5 V, I
D
= 5.0A
R
DS(on)
= 50m
@ V
GS
= 2.5 V, I
D
= 4.5A
Low Profile-0.8mm maximum-in the new package
MicroFET 2x2 mm
RoHS Compliant
Absolute Maximum Ratings
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Package Marking and Ordering Information
Symbol
V
DSS
V
GSS
Parameter
Ratings
30
±
12
5.0
20
0.9
2.4
-55 to +150
Units
V
V
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current -Continuous (Note 1a)
-Pulsed
I
D
A
P
D
Power dissipation (Steady State) (Note 1a)
(Note 1b)
Operating and Storage Junction Temperature Range
W
T
J
, T
STG
o
C
R
θ
JA
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1b)
145
52
o
C/W
Device Marking
430
Device
FDMA430NZ
Reel Size
7”
Tape Width
12mm
Quantity
3000 units
5
1
6
2
3
4
D
D
S
D
D
G
Bottom Drain Contact
D
D
S
G
D
D
Pin 1
Drain
Source
MicroFET 2X2 (Bottom View)
相關PDF資料
PDF描述
FDMA430NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDMA520PZ Single P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -7.3A, 30mohm
FDMA530PZ Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -6.8A, 35mohm
FDMB3800N_0610 Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз
FDMB3800N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDMA507PZ 功能描述:MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMA510PZ 功能描述:MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMA520PZ 功能描述:MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMA520PZ_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -7.3A, 30mヘ
FDMA530PZ 功能描述:MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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