參數(shù)資料
型號(hào)： FDMA1023PZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.7A, 72mohm
中文描述： 3700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229VCCC
封裝： 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 255K
代理商： FDMA1023PZ
F
M
FDMA1023PZ Rev.B
www.fairchildsemi.com
5
Figure 7.
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
I
D
= -3.7A
V
DD
= -10V
V
DD
= -5V
-
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= -15V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
1000
40
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
20
Capacitance Characteristics
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
20
V
GS
=-4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=
173
T
A
=
25
o
C
o
C/W
60
1s
10s
DC
100ms
10ms
1ms
100us
r
DS(on)
LIMIT
-
D
,
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10.
10
-4
10
-3
10
t, PULSE WIDTH (s)
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
0.5
V
GS
= -10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 173
T
A
=25
o
C/W
o
C
SINGLE PULSE
P
(
P
)
,
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
-----------------------
T
A
–
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.01
0.1
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
N
I
θ
J
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
2
0.005
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
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FDMA1028NZ 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMA1029PZ Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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