參數(shù)資料
型號： FDI3632
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
中文描述： 12 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB
封裝： TO-262AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 267K
代理商： FDI3632
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 Rev. B1
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gs
Q
gd
Q
gs2
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
FDB3672 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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