參數(shù)資料
型號(hào)： FDI3632
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
中文描述： 12 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB
封裝： TO-262AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 267K
代理商： FDI3632
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3632 / FDP3632 / FDI3632 Rev. B1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
A
= 25
°
C unless otherwise noted
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
10000
0.1
1
10
100
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
D
= 80A
I
D
= 40A
WAVEFORMS IN
DESI
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP3632 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз
FDB3672 N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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