參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6332C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 6.3V; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： FDG6332C
FDG6332C Rev C2 (W)
Typical Characteristics: P-Channel
0
1
2
3
4
5
0
0.3
0.6
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
0.9
1.2
1.5
1.8
-
G
,
I
D
= -0.6A
V
DS
= -5V
-15V
-10V
0
40
80
120
160
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
Figure 18. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.001
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
100
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 415
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 415 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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