參數(shù)資料
型號： FDG6332C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 6.3V; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： FDG6332C
FDG6332C Rev C2 (W)
Typical Characteristics: P-Channel
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1
2
3
4
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.5V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
0.5
1
1.5
2
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.5V
-4.0V
Figure 11. On-Region Characteristics.
Figure 12. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -0.6A
V
GS
= -4.5V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -0.3 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 13. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 14. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
0.5
1
1.5
2
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG6335N Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 3.2x6.0 mm; Packaging: Tape & Reel
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參數(shù)描述
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