參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6332C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 6.3V; Packaging: Tape & Reel
中文描述： 700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 93K
代理商： FDG6332C
FDG6332C Rev C2 (W)
Typical Characteristics: N-Channel
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
2.0V
3.0V
V
GS
=4.5V
2.5V
3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
1
2
3
4
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 2.5V
3.0V
4.0V
3.5V
4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
=0.7A
V
GS
= 4.5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2
3
4
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
=0.4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG6335N Tantalum Molded Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 3.2x6.0 mm; Packaging: Tape & Reel
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參數(shù)描述
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