參數(shù)資料
型號(hào)： FDD6632
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFET 30V, 9A, 90mз
中文描述： 4 A, 30 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 241K
代理商： FDD6632
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6632
Rev. B
F
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 13. Switching Time vs Gate Resistance
Figure 14. Switching Time vs Gate Resistance
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
10
100
0.1
1
10
500
30
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 9A
I
D
= 4A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V, I
D
= 6A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V, I
D
= 6A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
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PDF描述
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