參數(shù)資料
型號： FDD3N40TM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 400V N-Channel MOSFET
中文描述： 2 A, 400 V, 3.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： LEAD FREE, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 735K
代理商： FDD3N40TM
3
www.fairchildsemi.com
FDD3N40 / FDU3N40 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4
5
6
7
8
9
10
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
* Note : T
J
= 25
o
C
R
D
]
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
350
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
* Note : I
D
= 3A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
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PDF描述
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FDD4243 40V P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -14A, 44mohm
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