參數(shù)資料
型號(hào)： FDD3672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mз
中文描述： 6.5 A, 100 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大小： 233K
代理商： FDD3672
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3672 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
100
3000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
D
= 44A
I
D
= 21A
WAVEFORMS IN
DESI
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PDF描述
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