參數(shù)資料
型號(hào)： FDD3672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mз
中文描述： 6.5 A, 100 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 233K
代理商： FDD3672
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3672 Rev. A
F
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
10
-5
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
SINGLE PULSE
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
500
30
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
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PDF描述
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FDD3672-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDD3672 Series 100 V 28 mOhm N-Channel UltraFET Trench Mosfet TO-252AB
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