參數(shù)資料
型號： FDD3580
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7.7 A, 80 V, 0.029 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 120K
代理商： FDD3580
FDD3580/FDU3580 Rev. A1(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 7.7A
V
DS
= 10V
20V
40V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
20
40
60
80
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100μs
10s
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 96 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD3670 RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 5K/AMMO
FDD3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mз
FDD3680 FAST SWITCHING DIODE_1N4148_SOD-323__
FDD3682 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз
FDD3690 DIODE ZENER SINGLE 1000mW 6.8Vz 37mA-Izt 0.05 10uA-Ir 4Vr DO41-GLASS 5K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD3670 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD3670_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3672 功能描述:MOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD3672_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench? MOSFET -40V, -14A, 64mΩ
FDD3672_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mΩ
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