參數(shù)資料
型號： FDD3570
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 43 A, 80 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： FDD3570
FDD3570 Rev. A(W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
6.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
V
GS
= 10V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
10
20
30
40
50
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
6.0V
5.0V
7.0V
10V
4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 9A
V
GS
= 10V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 10 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關PDF資料
PDF描述
FDD3580 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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