參數資料
型號： FDD2570
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 4.7 A, 150 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數： 3/5頁
文件大小： 99K
代理商： FDD2570
FDD2570 Rev C(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
5.0V
3.5V
V
GS
= 10V
4.0V
4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
30
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
=
5.0V
4.5V
10V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= 4.7 A
V
GS
= 10 V
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= 2.2 A
T
A
= 25
o
C
T
A
= 125
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
3
6
9
12
15
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
25
o
C
V
DS
= 10 V
T
A
= 125
o
C
-55
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
25
o
C
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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