參數(shù)資料
型號(hào)： FDC655AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 6300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 528K
代理商： FDC655AN
4
www.fairchildsemi.com
FDC655BN Rev. C(W)
F
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
2
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
V
G
,
I
D
= 6.3A
15V
20V
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10.0V
SINGLE PULSE
R
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
1
2
3
4
5
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
JA
= 156
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
JA
(t) = r(t) * R
JA
R
JA
= 156
°
C/W
T
J
- T
A
= P * R
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
t
1
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
V
DS
= 10V
t
2
P(pk)
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